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        BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點,具備出色的開關速度和更低的開關損耗,TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發射極端子,繞過柵極控制回路上的發射極引線電感,從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量。主要規格有BGH50N65HF1(IKW50N65RH5國產替代,AIKW50N65RF5國產替代,IKW50N65SS5國產替代),BGH50N65ZF1 (IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5國產替代),BGH75N65HF1(IKW75N65RH5,IKW75N65SS5國產替代),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5國產替代),BGH40N120HF(IKW40N120H3,IKW40N120CS6,IKW40N120CS7國產替代)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括:車載充電機(OBC)、ESS儲能系統、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統 (UPS),以及服務器和電信用開關電源 (SMPS) ,基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的方案。該器件將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二... [詳細介紹]
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